RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
59
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
59
Velocità di lettura, GB/s
13.7
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2181
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link