RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
59
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
59
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
2181
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link