RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2831
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link