RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
46
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
37
Velocità di lettura, GB/s
12.1
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2088
3170
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link