RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
49
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
21
Velocità di lettura, GB/s
10.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3042
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link