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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
104
Intorno -333% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
24
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2462
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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