RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2462
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link