RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1822
2468
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link