RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
2468
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link