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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
41
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
22
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
3007
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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