RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
41
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
3007
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link