RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
53
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
53
Velocità di lettura, GB/s
10.1
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2319
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link