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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
64
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
64
Velocità di lettura, GB/s
11.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2535
2205
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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