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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
64
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
64
读取速度,GB/s
11.7
17.5
写入速度,GB/s
8.0
9.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2205
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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