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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Confronto
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
42
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
18
Velocità di lettura, GB/s
11.7
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2535
3536
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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