RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
42
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
18
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
3536
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link