SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    14900 left arrow 14200
    Intorno 1.05% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 52
    Intorno -73% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 9.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.7 left arrow 8.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    52 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.9 left arrow 11.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.2 left arrow 8.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 14200
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2285 left arrow 2458
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RAM 1
RAM 2

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