SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 14200
    En 1.05% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 52
    En -73% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 9.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    52 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.9 left arrow 11.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 14200
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2285 left arrow 2458
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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