Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Puntuación global
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 59
    En 49% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.9 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 14200
    En 1.35 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 59
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 17.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2458 left arrow 1968
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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