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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14200
Rund um 1.35 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
9.0
Speicherbandbreite, mbps
14200
19200
Other
Beschreibung
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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