RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB против Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
59
Около 49% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14200
Около 1.35 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
59
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14200
19200
Other
Описание
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2458
1968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link