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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
60
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
9.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
14900
Intorno 1.72 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
60
Velocità di lettura, GB/s
9.9
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
25600
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2359
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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