RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
60
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
9.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
14900
Por volta de 1.72 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
60
Velocidade de leitura, GB/s
9.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.0
Largura de banda de memória, mbps
14900
25600
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2359
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link