RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3222
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link