RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3222
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link