RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
44
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
2173
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link