RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
65
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
35
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link