RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
53
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
53
Velocità di lettura, GB/s
12.3
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
2319
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link