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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
53
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
53
读取速度,GB/s
12.3
10.1
写入速度,GB/s
7.8
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2319
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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