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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
65
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
27
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
2062
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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