RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2062
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link