RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
66
Intorno -136% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
28
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3420
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link