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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
66
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
26
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
1925
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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