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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,929.1
12.0
写入速度,GB/s
2,978.2
5.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
1925
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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