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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
17.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
59
读取速度,GB/s
17.6
20.1
写入速度,GB/s
12.0
10.6
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2382
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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