RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
23400
Wokół strony 1.09% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
17.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
59
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
23400
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2382
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link