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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
59
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
23400
Por volta de 1.09% maior largura de banda
Razões a considerar
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
17.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
59
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
23400
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2382
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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