RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
66
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
47
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2308
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link