RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
66
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
47
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2308
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link