RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
65
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3047
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link