RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
66
Intorno -144% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
27
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2140
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link