RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2140
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link