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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
66
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
33
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2524
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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