SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

总分
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
star star star star star
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 66
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.5 left arrow 2,978.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    66 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    2,929.1 left arrow 15.0
  • 写入速度,GB/s
    2,978.2 left arrow 8.5
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 2524
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较