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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
23
37
读取速度,GB/s
13.4
13.2
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2143
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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