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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
59
Intorno -74% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
34
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3193
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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