SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 12.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 59

Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 16.5
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 3193

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Kingston 9965640-016.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB

Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM