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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
59
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
40
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
3034
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
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