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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
59
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
40
读取速度,GB/s
4,723.5
15.6
写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3034
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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