RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
59
74
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
74
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
1779
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link